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ACI Avances en Ciencias e Ingenierías

SECCIÓN C: INGENIERÍAS

Vol. 6 Núm. 1 (2014)

Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus

DOI
https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163
Enviado
septiembre 29, 2015
Publicado
2014-06-13

Resumen

En el presente trabajo, se desarrolla un modelo para simular un dispositivo MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados con oxido enterrado (20m) y agotados completamente con SiO2 (5nm) como compuerta. El software que se usa es TCAD-Sentaurus. Se desarrollaron simulaciones DC para estudiar el comportamiento del voltaje de encendido y la transconductancia. Además, se desarrollaron simulaciones AC para estudiar la capacitancia y carga de inversión. Los resultados fueron comparados con un trabajo previo en el que se usó como simulador al programa COMSOL-Multiphysics. Los resultados obtenidos son muy similares entre ambos trabajos. Sin embargo, Sentaurus ofrece características más interesantes como introducir modelos más reales para los mecanismos físicos de dispositivos complejos.

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Citas

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