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ACI Avances en Ciencias e Ingenierías

SECCIÓN C: INGENIERÍAS

Vol. 4 Núm. 1 (2012)

Silicio Ultradelgado Empobrecido en Aislante MOSFET: una simulación basada en COMSOL Multiphysics®

DOI
https://doi.org/10.18272/aci.v4i1.88
Enviado
agosto 12, 2015

Resumen

Usamos el modelo de un transistor MOS de COMSOL [4] para desarrollar un nuevo modelo de un SOI-MOSFET completamente agotado y ultra delgado (profundidad de canal de 10nm). Los dispositivos MOSFET de Silicio en Aislante (Silicon On Insulator SOI-MOSFET) son utilizados para reducir los efectos de canal corto en estructuras MOSFET y lograr nuevos umbrales de miniaturización de los transistores. Nuestro modelo muestra una dependencia lineal del voltaje de umbral frontal con respecto al voltaje de compuerta posterior. Resultados similares se han reportado experimentalmente por [4] y teóricamente por [5].

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Citas

  1. Multiphysics 2006. "COMSOL Multiphysics Model Library". TM COMSOL.
  2. Ohata, A., Cass, M., and Cristoloveanu, S. 2007. "Front -and back- channel mobility in ultrathin SOI-MOSFETs by front-gate split cv method". Solid State Electronics. 5484-5492
  3. Hyung-Kyu, L. and Fossum, J. 1983. "Threshold voltage of thin-film silicon-on-insulator (sol) MOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices. 30. 1244-1251
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  5. Trojman, L. "Charge Carrier Mobility for Advanced High-metal Gate MOSFET in CMOS Technology" PhD thesis. Katholieke Universiteit Leuven, 2009.
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