Palabras clave
simulación TCAD
Sentaurus
ecuación de Poisson
ecuaciones de difusión y deriva
Cómo citar
Resumen
En el presente trabajo, se desarrolla un modelo para simular un dispositivo MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados con oxido enterrado (20m) y agotados completamente con SiO2 (5nm) como compuerta. El software que se usa es TCAD-Sentaurus. Se desarrollaron simulaciones DC para estudiar el comportamiento del voltaje de encendido y la transconductancia. Además, se desarrollaron simulaciones AC para estudiar la capacitancia y carga de inversión. Los resultados fueron comparados con un trabajo previo en el que se usó como simulador al programa COMSOL-Multiphysics. Los resultados obtenidos son muy similares entre ambos trabajos. Sin embargo, Sentaurus ofrece características más interesantes como introducir modelos más reales para los mecanismos físicos de dispositivos complejos.
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