Prócel, Luis Miguel, y Lionel Trojman. «Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus». ACI Avances en Ciencias e Ingenierías 6, no. 1 (junio 13, 2014). Accedido septiembre 9, 2026. https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/163.