Prócel, Luis Miguel, y Lionel Trojman. «Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus». ACI Avances en Ciencias e Ingenierías, vol. 6, n.º 1, junio de 2014, https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163.