Prócel, Luis Miguel, et al. «Extracción de la movilidad de dispositivos MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados y agotados completamente». ACI Avances en Ciencias e Ingenierías, vol. 5, n.º 1, abril de 2013, https://doi.org/10.18272/aci.v5i1.124.