[1]
J. Bustamante y L. Trojman, «Silicio Ultradelgado Empobrecido en Aislante MOSFET: una simulación basada en COMSOL Multiphysics®», ACI Av. Cienc. Ing. (Quito), vol. 4, n.º 1, jun. 2012, doi: 10.18272/aci.v4i1.88.