Prócel, Luis Miguel, y Lionel Trojman. 2014. «Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus». ACI Avances en Ciencias e Ingenierías 6 (1). https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163.