Prócel, L. M.; Trojman, L. Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus. ACI Av. Cienc. Ing. (Quito) 2014, 6 (1). https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163.