Prócel, L. M.; Moreno, J.; Crupi, F.; Trojman, L. Extracción de la movilidad de dispositivos MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados y agotados completamente. ACI Av. Cienc. Ing. (Quito) 2013, 5 (1). https://doi.org/10.18272/aci.v5i1.124.