Bustamante J, Trojman L. Silicio Ultradelgado Empobrecido en Aislante MOSFET: una simulación basada en COMSOL Multiphysics®. ACI Av. Cienc. Ing. (Quito) [Internet]. 30 de junio de 2012 [citado 16 de abril de 2024];4(1). Disponible en: https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/88