1.
Prócel LM, Moreno J, Crupi F, Trojman L. Extracción de la movilidad de dispositivos MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados y agotados completamente. ACI Av. Cienc. Ing. (Quito) [Internet]. 8 de abril de 2013 [citado 5 de febrero de 2023];5(1). Disponible en: https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/124