Prócel LM, Trojman L. Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus. ACI Av. Cienc. Ing. (Quito) [Internet]. 13 de junio de 2014 [citado 22 de noviembre de 2024];6(1). Disponible en: https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/163