Prócel, Luis Miguel, y Lionel Trojman. «Simulación TCAD Para Un MOSFET De Silicio En Aislante, Ultra Fino Con óxido Enterrado Y Completamente Agotado: Una comparación Entre COMSOL Y Sentaurus». ACI Avances En Ciencias E Ingenierías, vol. 6, n.º 1, junio de 2014, doi:10.18272/aci.v6i1.163.