Prócel, L. M., J. Moreno, F. Crupi, y L. Trojman. «Extracción De La Movilidad De Dispositivos MOSFET De Silicio En Aislante, Ultra Delgados Y Agotados Completamente». ACI Avances En Ciencias E Ingenierías, vol. 5, n.º 1, abril de 2013, doi:10.18272/aci.v5i1.124.