[1]
L. M. Prócel y L. Trojman, «Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus»,
ACI Av. Cienc. Ing. (Quito)
, vol. 6, n.º 1, jun. 2014.