Prócel, L. M. y Trojman, L. (2014) «Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus», ACI Avances en Ciencias e Ingenierías, 6(1). doi: 10.18272/aci.v6i1.163.