Prócel, Luis Miguel, y Lionel Trojman. 2014. «Simulación TCAD Para Un MOSFET De Silicio En Aislante, Ultra Fino Con óxido Enterrado Y Completamente Agotado: Una comparación Entre COMSOL Y Sentaurus». ACI Avances En Ciencias E Ingenierías 6 (1). https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163.