BUSTAMANTE, J.; TROJMAN, L. Silicio Ultradelgado Empobrecido en Aislante MOSFET: una simulación basada en COMSOL Multiphysics®. ACI Avances en Ciencias e Ingenierías, [S. l.], v. 4, n. 1, 2012. DOI: 10.18272/aci.v4i1.88. Disponível em: https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/88. Acesso em: 2 dic. 2022.