PRÓCEL, L. M.; MORENO, J.; CRUPI, F.; TROJMAN, L. Extracción de la movilidad de dispositivos MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados y agotados completamente. ACI Avances en Ciencias e Ingenierías, [S. l.], v. 5, n. 1, 2013. DOI: 10.18272/aci.v5i1.124. Disponível em: https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/124. Acesso em: 5 feb. 2023.