Prócel, L. M., & Trojman, L. (2014). Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus. ACI Avances En Ciencias E Ingenierías, 6(1). https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163