Prócel, L.M. y Trojman, L. 2014. Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus. ACI Avances en Ciencias e Ingenierías. 6, 1 (jun. 2014). DOI:https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163.