Prócel, L.M. et al. 2013. Extracción de la movilidad de dispositivos MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados y agotados completamente. ACI Avances en Ciencias e Ingenierías. 5, 1 (abr. 2013). DOI:https://doi.org/10.18272/aci.v5i1.124.