TY - JOUR AU - Bustamante, José AU - Trojman, Lionel PY - 2012/06/30 Y2 - 2024/03/28 TI - Silicio Ultradelgado Empobrecido en Aislante MOSFET: una simulación basada en COMSOL Multiphysics® JF - ACI Avances en Ciencias e Ingenierías JA - ACI Av. Cienc. Ing. (Quito) VL - 4 IS - 1 SE - SECCIÓN C: INGENIERÍAS DO - 10.18272/aci.v4i1.88 UR - https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/88 SP - AB - <p>Usamos el modelo de un transistor MOS de COMSOL [4] para desarrollar un nuevo modelo de un SOI-MOSFET completamente agotado y ultra delgado (profundidad de canal de 10nm). Los dispositivos MOSFET de Silicio en Aislante (Silicon On Insulator SOI-MOSFET) son utilizados para reducir los efectos de canal corto en estructuras MOSFET y lograr nuevos umbrales de miniaturización de los transistores. Nuestro modelo muestra una dependencia lineal del voltaje de umbral frontal con respecto al voltaje de compuerta posterior. Resultados similares se han reportado experimentalmente por [4] y teóricamente por [5].</p> ER -