TY - JOUR AU - Artieda, John P. AU - Trojman, Lionel AU - Crupi, Felice AU - Ragnarsson, Lars-Ã…ke PY - 2012/12/28 Y2 - 2024/03/28 TI - Caracterización eléctrica de nano-MOSFETs en tecnología SOI JF - ACI Avances en Ciencias e Ingenierías JA - ACI Av. Cienc. Ing. (Quito) VL - 4 IS - 2 SE - SECCIÓN C: INGENIERÍAS DO - 10.18272/aci.v4i2.107 UR - https://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/107 SP - AB - <p>En esta investigación se reporta sobre la extensa caracterización eléctrica realizada, con poca distorsión y mayor fiabilidad, a dispositivos MOSFET de tamaño nanométrico con arquitectura ultra delgada tipo Fully Depleted (FD) en tecnología Silicon-On-Insulator (SOI) para reducir los efectos de canal corto. Se comparan los parámetros de dispositivos tipo nMOS, con tamaño de compuerta 10x1 <em>μ</em>m<sup>2</sup>, con dieléctrico convencional (SiON) y dieléctrico alternativo de alto κ (HfO<sub>2</sub>). Los parámetros que se extraen son: espesor equivalente de óxido (EOT), voltaje umbral (V<sub><em>T</em></sub>) en función del voltaje de cuerpo SOI (V<sub><em>B</em></sub>), transconductancia (g<sub><em>m</em></sub>), pico de transconductancia (g<sub><em>m,max</em></sub>) y su relación con la movilidad. El objetivo es encontrar si los métodos de caracterización eléctrica clásicos pueden ser aplicables para estos nuevos dispositivos superando los retos y dificultades físicas que impone la tecnología de construcción SOI y demostrar si su funcionamiento es como el de los MOSFET convencionales. Los dispositivos semiconductores analizados fueron provistos por el consorcio IMEC en Bélgica y han sido caracterizados en el nuevo laboratorio de nanoelectrónica de la Universidad San Francisco de Quito (USFQ) en Ecuador.</p> ER -