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ACI Avances en Ciencias e Ingenierías

SECCIÓN C: INGENIERÍAS

Vol. 6 Núm. 1 (2014)

Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus

DOI
https://doi.org/10.18272/aci.v6i1.163
Enviado
septiembre 29, 2015
Publicado
2014-06-13

Resumen

En el presente trabajo, se desarrolla un modelo para simular un dispositivo MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados con oxido enterrado (20m) y agotados completamente con SiO2 (5nm) como compuerta. El software que se usa es TCAD-Sentaurus. Se desarrollaron simulaciones DC para estudiar el comportamiento del voltaje de encendido y la transconductancia. Además, se desarrollaron simulaciones AC para estudiar la capacitancia y carga de inversión. Los resultados fueron comparados con un trabajo previo en el que se usó como simulador al programa COMSOL-Multiphysics. Los resultados obtenidos son muy similares entre ambos trabajos. Sin embargo, Sentaurus ofrece características más interesantes como introducir modelos más reales para los mecanismos físicos de dispositivos complejos.

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Citas

  1. Cristoloveanu, S. 2001. "Silicon on insulator tecnologhies and devices: from present to future". Solid-State Electronics, 85: 1403.
  2. Cristoloveanu, S.; Ghibaudo, G.; Ouisse, T.; Horiguchi, S.; Ono, Y.; Takahashi, Y.; Murase, K. 2003. "Ultimately Thin Double-Gate SOI MOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices, 50: 830.
  3. Ernst, T.; Tinella, C.; Raynaud, C.; Cristoloveanu, S. 2002. "Fringing fields in sub-0.1μm FD SOI MOSFETs: Optimization of the device architecture". Solid State Electron., 46: 373.
  4. Naveh, Y.; Likharev, K. 2000. "Modeling of 10-nm-scale ballistic MOSFET"™s". IEEE Electron Device Letter, 21: 242.
  5. Bustamante, J.; Trojman, L. 2012. "Ultra-Thin Depleted Silicon on Insulator MOSFET: a simulation based on COMSOL Multiphysics". Avances en Ciencias e Ingenierías, 4: C42.
  6. Procel, L.; Moreno, J.; Crupi, F.; Trojman, L. 2013. "Mobility extraction in ultrathin, body buried oxide and fully depleted silicon-on-insulator MOSFET". Avances en Ciencias e Ingenierías, 5: C1.
  7. Sentaurus Manual. 2013. "Sentarus Device, Using Guide".
  8. Sentaurus Manual. 2013. "Sentarus Structure Editor, Using Guide".
  9. Klaasen, D. 1992. "A Unified Mobility Model for Device Simulation I. Model, Equations and Concentration Dependence". Solid-State Electronics, 35: 953.
  10. Lombardi, C.; Manzini, S.; Saporito, A.; Vanzi, M. 1988. "A physically based mobility model for numerical simulation of nonplanar devices". IEEE Transaction on Computer-Aided Design, 7: 1164.
  11. Reggiani, S.; Valdinoci, M.; Colalongo, L.; Rudan, M.; Baccarani, G.; Stricker, A.; Illien, F.; Felber, N.; Fichtner, W.; Zullino, L. 1997. "Electron and hole mobility in silicon at large operating temperatures. Part I. Bulk mobility". IEEE Transactions on Electron Devices, 44: 1529.
  12. Ohata, A.; Cass, M.; Cristoloveanu, S. 2007. "Front and back-channel mobility in ultrathin SOI-MOSFETs by front-gate split CV method". Solid State Electronics: 5484-5492.
  13. Hyung-Kyu, L.; Fossum, J. 1983. "Threshold voltage of thin-film silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices, 30: 1244.
  14. Liou, J.; Cerdeira, A.; Estrada, M.; Yue, Y.; Ortiz-Conde, A.; Garcia, F. 2002. "A review of recent MOSFET threshold voltage extraction methods". Microelectronics Reliability, 42: 583.
  15. Colinge, J. 1985. "Transconductance of silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs". IEEE Electron Device Letters.

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